元素符号：Ni V

简介：镍钒合金靶材,在集成电路制作中一般用纯金做表面导电层,但金与硅晶园容易生成AuSi低熔点化合物,导致金与硅界面粘接不牢固，

人们提出了在金和硅晶圆的表面增加一粘接层,常用纯镍做粘接层，但镍层和金导电之间也会形成扩散，因此需要再有一阻挡层,来防止金导电层和镍粘接层之间的扩散。阻挡层需要采用烟点高的金属,还要承受较大的电流密度,高纯金属钒能满足该要求。所以在集成电路制作中会用到镍溅射靶材、钒溅射靶材、金溅射靶材等。